9月25日-28日，我國智能網(wǎng)聯(lián)汽車行業(yè)最高規(guī)格的國際交流平臺(tái)——2021世界智能網(wǎng)聯(lián)汽車大會(huì)，在北京中國國際展覽中心(新館)舉辦。大會(huì)同期舉辦新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展成果展，比亞迪半導(dǎo)體攜6款“高精尖”功率器件產(chǎn)品亮相盛會(huì)，成為該會(huì)的亮點(diǎn)之一。

本次成果展由工業(yè)和信息化部主辦，中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)汽車行業(yè)分會(huì)承辦，以“禮贊‘新’時(shí)代加快推動(dòng)新能源汽車產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展”為主題，全面展示新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得的成就。

展會(huì)期間，比亞迪半導(dǎo)體集中展示了6款功率器件產(chǎn)品：V-215、V-305(SiC模塊)、V-SSDC(SiC模塊)、V-DUAL1、IGBT晶圓、FRD晶圓。產(chǎn)品向大眾全方位展現(xiàn)了公司功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的“高精尖”領(lǐng)先技術(shù)、智能制造的精湛工藝，紛紛引來賓駐足觀看，并受到業(yè)界同行廣泛關(guān)注。

比亞迪半導(dǎo)體展品

本次重點(diǎn)展示了兩款碳化硅功率模塊：V-305(SiC模塊)、V-SSDC(SiC模塊)。其中，305封裝 1200V 840A規(guī)格三相全橋碳化硅功率模塊，在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中已實(shí)現(xiàn)規(guī)�；瘧�(yīng)用，助力漢車型百公里加速達(dá)到3.9s，降低了能耗，累計(jì)裝車量目前居于行業(yè)領(lǐng)先地位，引領(lǐng)了行業(yè)發(fā)展。

該SiC模塊采用納米銀燒結(jié)工藝，AMB活性金屬釬焊。根據(jù)實(shí)驗(yàn)室測(cè)試可知，相較先前傳統(tǒng)焊接工藝及DBC覆銅工藝，使用壽命更長，可靠性更高。除此之外，其使用銅夾互連工藝，極大提升芯片過電流能力，模塊輸出功率可達(dá)200KW，以致功率密度提高一倍、體積縮小一半。

比亞迪半導(dǎo)體憑借多年的功率器件設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)和集團(tuán)汽車級(jí)應(yīng)用平臺(tái)資源，率先進(jìn)軍SiC功率器件研發(fā)領(lǐng)域。經(jīng)過不懈努力，成為國內(nèi)首批自主研發(fā)及實(shí)現(xiàn)SiC器件產(chǎn)業(yè)化的半導(dǎo)體公司。在SiC器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)SiC模塊在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)�；瘧�(yīng)用，其自主研發(fā)制造的高性能碳化硅功率模塊，是全球首家、國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)在電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中大批量裝車的SiC三相全橋模塊。

本次成果展也重點(diǎn)展示了V-DUAL1模塊，其采用自主研發(fā)的IGBT4.0(復(fù)合場(chǎng)終止)技術(shù)。IGBT4.0具備車規(guī)級(jí)可靠性大電流性能，解決了大電流IGBT易失效難題;其電流輸出能力較當(dāng)前市場(chǎng)主流IGBT高15%，應(yīng)用于新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，對(duì)整車降低能耗起到有力地推動(dòng)作用。

V-DUAL1在輸出電流特性、運(yùn)行高溫?fù)p耗、異常耐受性、溫度循環(huán)壽命等關(guān)鍵性能與可靠性指標(biāo)上對(duì)比行業(yè)同類產(chǎn)品，整體指標(biāo)達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平，部分指標(biāo)達(dá)到領(lǐng)先水平。

比亞迪半導(dǎo)體是一家擁有芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝與測(cè)試全產(chǎn)業(yè)鏈一體化經(jīng)營能力的IGBT芯片量產(chǎn)裝車IDM廠商。2018年12月，公司正式發(fā)布全新車規(guī)級(jí)“IGBT 4.0”技術(shù)。相比當(dāng)前市場(chǎng)主流產(chǎn)品，比亞迪的IGBT電流輸出能力高15%、綜合損耗降低約20%、溫度循環(huán)壽命提高約10倍,，樹立了國內(nèi)中高端車規(guī)級(jí)IGBT新標(biāo)桿。搭載比亞迪IGBT4.0后，整車百公里電耗能夠降低0.6kWh，能耗和用車成本大大降低。

目前比亞迪半導(dǎo)體基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，同時(shí)正在積極布局新一代IGBT技術(shù)，致力于進(jìn)一步提高IGBT芯片的電流密度，提升功率半導(dǎo)體的可靠性，降低產(chǎn)品成本，提高應(yīng)用系統(tǒng)的整體功率密度，已批量應(yīng)用于內(nèi)、外部新能源汽車以及國內(nèi)知名商業(yè)空調(diào)、變頻空調(diào)領(lǐng)域。

FRD芯片在IGBT模塊中與IGBT芯片并聯(lián)使用，起反向恢復(fù)作用，是IGBT模塊中必不可少的功率芯片之一。該款FRD芯片首創(chuàng)了基于異晶面鍵合的壽命控制方法并得到了載流子軸向壽命分布，降低了FRD反向恢復(fù)損耗，研發(fā)了具有注入效率自調(diào)節(jié)功能的控制復(fù)合發(fā)射極技術(shù)，攻克了FRD VF負(fù)溫度系數(shù)導(dǎo)致多芯片并聯(lián)均流差的關(guān)鍵技術(shù)難題，填補(bǔ)了國內(nèi)VF非負(fù)溫度系數(shù)FRD技術(shù)空白。

比亞迪半導(dǎo)體人充分利用公司平臺(tái)提供的優(yōu)勢(shì)資源，致力“把產(chǎn)品做到極致”，無不體現(xiàn)術(shù)業(yè)專攻下一絲不茍的工匠精神。

“好產(chǎn)品經(jīng)得起時(shí)間的考驗(yàn)”，披沙揀金，終見珍品。在當(dāng)前行業(yè)普遍“缺芯”的趨勢(shì)下，比亞迪半導(dǎo)體立足于“高精尖”產(chǎn)品要求，不斷給自身制定高指標(biāo)，尋求核心技術(shù)的突破，持續(xù)推進(jìn)先進(jìn)工藝研發(fā);挖掘更優(yōu)質(zhì)的人才，以更先進(jìn)的材料、更尖端的設(shè)備、更前沿的技術(shù)，造就卓越不凡的產(chǎn)品，進(jìn)而加快相關(guān)產(chǎn)品的國產(chǎn)化進(jìn)程，助力整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)奔涌向前。(文/張揚(yáng))

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