隨著WLAN技術的發展，室內場景更傾向于依賴無線通信技術，2021年互聯網約有50%的數據流量采用WiFi接入(來源：思科網絡)。龐大的流量和接入需求推動著無線通信技術的發展，WiFi 6E標準開放了新的6GHz頻段，可以使用14個80MHz通道和7個額外的160MHz通道，搭載MU-MIMO技術，支持4K QAM調制以及OFDMA，實現了室內大場景下的多點高頻高效數據傳輸，為4K/8K視頻流、大規模協同辦公、智能家居和低時延大型游戲等場景提供可能性。

與需求擴張相對的，是國內市場對于支持WiFi 6E的芯片和技術仍處于探索階段。三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺，是目前國內唯一一家有能力量產WiFi 6E芯片的企業。目前，三安集成已與國內頭部射頻企業達成深度合作，實現多款WiFi 6E前端模塊的量產，產品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級，具備優越的TX端線性功率和極限1.5dBm的RX端NF值。客戶端產品已經成功打入國際市場，雙方也正在針對下一代WiFi產品展開新一輪合作。

三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出貨量在國內一直保持領先;去年8月，三安集成的濾波器產品也進入了全球主流射頻前端平臺。如今GaAs代工業務已延伸至前沿的WiFi 6E技術，意味著三安集成射頻前端業務在移動通信技術和無線通信技術的雙向突破，有實力全方位覆蓋客戶在5G時代所需要的射頻前端制造服務。

三安集成成熟的制造管理和可靠的產能保證是幫助客戶快速搶占市場的利器。繼承母公司三安光電二十年化合物半導體制造管理經驗，三安集成發展了成熟全面的砷化鎵HBT/p-HEMT工藝型譜，支持客戶在復雜通信場景下的不同應用需求。三安集成面向未來市場，積極投入產能，在泉州南安芯谷園區建設了2,300畝的制造基地，規劃了20,000片6寸砷化鎵晶圓和256Mu顆雙工器的月產能，為客戶產品落地和快速迭代提供可靠支持。

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